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AON3814中文资料

  • 大小：129.55KB
  • 厂家：Alpha & Omega Semiconductors
  • 描述：Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：6A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：17 毫欧 @ 6A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：13nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1100pF @ 10V
  • 功率 - 最大：2.5W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-VDFN
  • 供应商设备封装：8-DFN（3x3）
  • 包装：带卷 (TR)

AON3814供应商

更新时间:2022-12-31 02:16:13
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